CGSim (晶體增長模擬)程式是一套專業的模擬直拉(Cz), 液體封裝提拉(LEC), 蒸氣壓控制直拉(VCz) 和Bridgman生長晶體的軟體。程式在物理製程當中提供資訊給栽培生長晶體者以提昇晶體的生長和品質。
CGSim 整套軟體組包含了幾個模組, 如CGSim基本原理,缺陷分析模組, 流層模組, CGSim 檢測。
我們提供的CGSim模擬軟件組可以有效地解決應用在許多實際的問題:
1. 有效地在結晶前幾何做最佳化與控管。V/G分佈可以利用熱區和長晶參數的調整
2. 提高結晶率與維持高品質的晶體。
3. 可以控制在增長晶體中所發生的壓力和缺陷。缺陷工程是經過熱護板精確調整分析。
4. 管理熔體對流是經過水晶/坩堝旋轉速度，磁場強度和方向。對於融化過程對流的穩定, 同時可以保持合理的湍流混合。
5. 熔體和氣體雜質的分析。預測含有氧和碳物種濃度在矽鋯石的增長中。此外, 針對提供所需的雜質濃度做長晶條件的調整和熱區的修正。
6. 對於液體密封增長, 充份考慮密封材料, 湍流氣流, 對流熱的傳導。
7. 模擬支持新結晶體生長裝置的設計和最佳化。
CGSim模擬軟件可以應用在:
1. 模擬矽太陽能電池的鑄造流程。
2. 100 mm 直拉矽晶增長
3. 300 mm直拉矽晶增長
4. 400 mm直拉矽晶增長的磁場影響
5. 藍寶石晶體增長泡生技術的數值分析
6. 100 mm砷化鎵(GaAs) 的VCz 增長
7. 高壓液體封裝提拉式增長（HPLEC）的磷化銦
8. 碘化銫晶體生長利用連續供應方法
9. 石英晶體生長在熱壓力鍋
10. 氧化物晶體
11. 當砷化鎵晶體的VGF生長時, 調整加熱器功率分佈
